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介質(zhì)損耗試驗(yàn)的目的
點(diǎn)擊次數(shù):2217 更新時間:2020-08-06
  介質(zhì)損耗試驗(yàn)的目的
 
  介質(zhì)損耗試驗(yàn)的目的是通過測量介質(zhì)損耗因數(shù)來判斷設(shè)備絕緣性能。一般使用西林電橋、電流比較型電橋、M型介質(zhì)試驗(yàn)器等儀器進(jìn)行試驗(yàn)。
 
  測量介質(zhì)損耗因數(shù)在預(yù)防性試驗(yàn)中是*的項目。因?yàn)殡姎庠O(shè)備介質(zhì)損耗因數(shù)太大,會使設(shè)備絕緣在交流電壓作用下,許多能量以熱的形式損耗,產(chǎn)生的熱量將升高電氣設(shè)備絕緣的溫度,使絕緣老化,甚至造成絕緣熱擊穿。
 
  絕緣能力的下降直接反映為介質(zhì)損耗因數(shù)的增大。進(jìn)一步就可以分析絕緣下降的原因,如:絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。
 
  所以,在出廠試驗(yàn)時要進(jìn)行介質(zhì)損耗的試驗(yàn),運(yùn)行中的電氣設(shè)備亦要進(jìn)行此種試驗(yàn)。測量介質(zhì)損耗的同時,也能得到試品的電容量。電容量的明顯變化,反映了多個電容中的一個或幾個發(fā)生短路、斷路。
 
  擴(kuò)展資料
 
  在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量電介質(zhì)的損耗。
 
  當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時,電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ,Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。
 
  tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx)。
 
  標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測量線路組成,被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。
 
  通過測量電路分別測得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等,再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時采集方法,通過矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。

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